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IRLML0100TRPBF
标准包装：3,000 类别：分离式半导体 产品家庭：FET - 单系列：HEXFET® FET 型：MOSFET N 通道 金属氧化物FET 特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A开态Rds（******）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 1.6A，10VId 时的 Vgs(th)（******）：2.5V @ 25µA闸电荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds：290pF @ 25V功率 - ******：1.3W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23 包装：带卷 (TR) 其它名称：IRLML0100TRPBFTR |
Add：RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email：Andy@gcsic.com
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