Add: RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG
Tel: (852) 2687 2677
Fax: (852) 2687 2377
Add:3701 United Plaza A,5022 Binhe Avenue,Caitian Road,Futian District,Shenzhen,China
TEL:+86-755-8386 7833
FAX:+86-755-8386 0488
QQ:2880309273
E-mail:Anna@gcsic.com
IRFS3607PBF
标准包装:50类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A开态Rds(******)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 46A,10VId 时的 Vgs(th)(******):4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs:84nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds:3070pF @ 50V功率 - ******:140W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装:D2PAK包装:管件 |
Add:RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email:Andy@gcsic.com