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IRFR6215PBF
标准包装：75 类别：分离式半导体 产品家庭：FET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A开态Rds（******）@ Id, Vgs @ 25° C：295 毫欧 @ 6.6A，10VId 时的 Vgs(th)（******）：4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs：66nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds：860pF @ 25V功率 - ******：110W 安装类型：表面贴 装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商设备封装：D-Pak包装： 管件其它名称：*IRFR6215PBF |
Add：RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email：Andy@gcsic.com
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