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产品型号: IRLL024ZTRPBF

制造商编号描述: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

数据列表: IRLL024ZPbF

产品相片: SOT223-3L

产品培训模块 :High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) PCN Design/Specifi SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013PCN Assembly/Origin Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013

标准包装: 1包装 -

FET 类型 :MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 5A （Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（******值） 60 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（******值） 3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 11nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 380pF @ 25V功率 - ******值 1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳 ：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223