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IRF830
标准包装：1,000 类别：分离式半导体 产品家庭：FET - 单系列：-FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 2.7A，10VId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds：610pF @ 25V功率 - 最大：74W 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-220-3 供应商设备封装：TO-220AB 包装：管件 其它名称：*IRF830IRF830IR |
Add：RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email：Andy@gcsic.com
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