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IRF7495PBF
标准包装：95 类别：分离式 半导体产品家庭：FET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.3A开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫欧 @ 4.4A，10VId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs：51nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds：1530pF @ 25V功率 - 最大：2.5W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装：8-SO 包装：管件其它名称：*IRF7495PBF |
Add：RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email：Andy@gcsic.com
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