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IRF6620TR1PBF
标准包装：1,000 类别：分离式 半导体产品家庭：FET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：27A开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.7 毫欧 @ 27A，10VId 时的 Vgs(th)（最大）：2.45V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds：4130pF @ 10V功率 - 最大：2.8W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX 供应商设备封装：DIRECTFET MX包装：带卷 (TR) 其它名称：IRF6620TR1PBFTR |
Add：RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email：Andy@gcsic.com
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