Add: RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG
Tel: (852) 2687 2677
Fax: (852) 2687 2377
Add：3701 United Plaza A,5022 Binhe Avenue,Caitian Road,Futian District,Shenzhen,China
TEL：+86-755-8386 7833
FAX：+86-755-8386 0488
QQ：2880309273
E-mail：Anna@gcsic.com
 Tel:0755-83867833 |
IRF3710PBF
标准包装 :50 类别:分离式半导体产品家庭 FET - 单 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 57A开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 23 毫欧 @ 28A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3130pF @ 25V功率 - 最大 200W 安装类型 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商设备封装: TO-220AB 包装:管件 其它名称 *IRF3710PBF |
Add：RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email：Andy@gcsic.com
ST