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IRG4BC40W　

产品型号

IRG4B40W

制造商编号

IR

描述

MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK

数据列表

IRLR/U120NPbF

产品相片

DPAK_369D−01

产品培训模块设计资源

-

标准包装

50

包装

管件

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

IGBT-单路

漏源极电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏极 (Id)

-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On

-

不同 Id 时的 Vgs(th)

2.5V @ 15V， 20A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

-

功率 - 最大值

160W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220AB

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IRG4BC40W
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