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描述

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标准包装

2000

包装

分离式半导体产品

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

标准型

漏源极电压 (Vdss)

400V

电流 - 连续漏极 (Id)

1.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On

7欧姆 @ 1.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

270pF @ 25V

功率 - 最大值

50W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装

D-Pak

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IRG4BC40W