产品型号

制造商编号

描述

-

数据列表

-

产品相片

产品培训模块设计资源

-

标准包装

3000

包装

分离式半导体产品

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

标准型

漏源极电压 (Vdss)

100V

电流 - 连续漏极 (Id)

7.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On

270 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

360pF @ 25V

功率 - 最大值

2.5W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装

D-Pak

产品目录页面

IRFR120PBF