9月17日，2020第23届中国集成电路制造年会暨广东集成电路产业发展论坛盛大开幕。中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明出席大会，并以《我国集成电路产业发展面临的新机遇与新挑战》为主题演讲，为我国集成电路的发展提出建议。

  吴汉明表示，我国集成电路产业发展除了需要巨大资金和人才外，还存在两大壁垒，一是战略性壁垒，包括巴黎统筹委员会和瓦森纳协议等，我们需要拥有相对可控的产业链，重点布局工艺、装备和材料、设计IP核以及EDA。二是产业性壁垒，包括世界龙头企业早期布置的知识产权等，我们需要拥有专利库，掌握核心技术。

  “从国内集成电路产业与世界先进水平差距演变来看，在上世纪50年代，第一个硅单晶诞生时，中国比美国晚6年，而且比日本还早了两年，但随着时间的推移，国内集成电路产业与世界先进水平的差距越拉越大。”吴汉明指出，我们领会到了研究和产业的关系，研究是手段，产业是目的，如果有很多研究没有产业，还是等于零，这是一个经验教训，产业导向太重要了，尤其是我们这个行业。

  从摩尔定律的角度来看，吴汉明认为，摩尔定律有三大瓶颈，第一是材料的瓶颈需要突破。第二大瓶颈是器件的物理局限，我们就需要用一些新的三级材料来替代原来的氧化硅的三级。第三个瓶颈是工艺上的突破，光刻工艺一直是我们做工艺的第一瓶颈，是一个基础性的挑战。这些挑战看似是产业遇到的挑战，实际上这些挑战都必须要有很厚实的基础研究成果来支撑，我们产业里看到的挑战都是10年前，甚至20年前的一些基础研究的成果来铺垫、支撑，使得我们突破这些瓶颈。

  值得注意的是，中国在基础研究方面的投入还远远不够。吴汉明指出，从全球研究经费的分布情况来看，我们所有研发经费的总额比英美法日并没有少，比有些国家还多，但是我们的比例是严重失衡，主要是体现在我们5%的经费是投入在基础研发上，而其中84%的经费都是在试验发展的研发用途上，通俗来讲就是试错。这样研究的途径和方式其实是很令人担心的，尤其是我们一些芯片制造企业，工艺就是在试错，试错的成本占了整个研发经费的84%，这是很不好的现状。我们必须要有一个基础的引导，使这种所谓试错式的研发变成实验式的研发。

  在如何衡量国内集成电路制造水平方面，吴汉明认为，成套工艺是集成电路产业水平的集中表现，因为它需要把包括光刻技术、薄膜技术在内的很多关键技术，进行完整的工艺集成后，形成一个可以商用的成套工艺支撑某一个产品，这才能真正衡量集成电路制造水平。

  “现在产业情况比较糟糕，我们遇到了很严重的挑战，但大家也不用太担心，我们一路走过来，各种各样的封锁使得我们有各种各样的突破，包括像航天、超算，都是在封锁的条件下突破，所以再封锁五年、十年，我觉得什么问题都解决了。”吴汉明指出，2019年本土的占有率将近30%，是我们史上最高的，虽然2020的数据还没出来，但是我有信心国产化芯片的比例一定会往上走，因为有很多芯片使用企业正在积极地使用国产芯片，所以这是一个机会，也是一个挑战。

  吴汉明认为，工艺的最大挑战实际上就是光刻和新材料，但是成套工艺是一个标志性的诉求，后摩尔时代的碎片化，对我们国内众多的中小企业可能是个机会，尤其是我们国产化的推进，比以前要顺利得多，虽然摩尔定律可能会终止，但是我们的创新永无止境。

来源：集微网