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存储器后市 业界:DRAM优于NAND
发表日期:2020-07-08 , 

  针对DRAM和储存型快闪存储器(NAND Flash)这两大存储器后市,业界普遍有“DRAM优于NAND Flash”的共识。

  业者分析,目前看来,DRAM需求拉抬步调较快,价格后市相对看好;NAND Flash则因市场供给较多,预估第3季需求持平第2季,因此价格走势预料也会比DRAM弱。

  业者指出,今年第2季NAND Flash市场稳定,价格小幅上扬,不过,从市场近一、两个月的反映来看,支撑第2季NAND Flash市况的比笔电及数据中心等重要需求来源,第3季恐面临库存调节压力,因此从需求端来看,第三季度力道并不强劲。

  科技市调机构集邦预估,第3季NAND Flash市场将转为供需平衡,主要产品价格将出现持平或微幅下跌。业者预期,在各家供应商供货节制下,今年第3、4季NAND Flash需求不强,预料价格可能小幅修正,以下半年来看,DRAM价格走势将优于NAND Flash。

  业者表示,数据中心需求可说是今年上半年NAND Flash的重心,但上半年非常强劲的数据中心,以上游供应伺服器存储器的原厂来看,除了一家韩系厂商对数据中心后市较明确外,其它厂商疫情因素,能见度较没那么长。

  尤其中国大陆主要数据中心大厂需求面转保守,加上主要业者拉货已持续一段时间,后续需求有机会延伸到第3季,但需求力道将趋缓。

来源:集微网

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